H5TQ4G63MFR-H9C
Modèle de produit H5TQ4G63MFR-H9C
Fabricant HYNIX
La description HYNIX BGA
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Informations techniques de H5TQ4G63MFR-H9C
Référence fabricant H5TQ4G63MFR-H9C Catégorie Circuits intégrés (ci)
Fabricant Hynix Semiconductor La description HYNIX BGA
Paquet / cas BGA Quantité disponible 6925 pcs
14+ Condition New Original Stock
garantie 100% Perfect Functions Délai de mise en œuvre 2-3days after payment.
Paiement PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union Expédition par DHL / Fedex / UPS
Port HongKong RFQ Email

Modèle de Produit

H5TQ4G63MFR-H9C

Introduction

Circuit intégré mémoire haute performance

Marque et Fabricant

Hynix Semiconductor

Caractéristiques

Taux de transfert de données élevé

Consommation d'énergie réduite

Plage de température étendue

Performance du Produit

Vitesse de lecture/écriture robuste

Stable dans des conditions environnementales variées

Spécifications Techniques

4 Go DDR3 SDRAM

Taux de données : DDR3-1600

Tension : 1,35 V/1,5 V

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage standard FBGA à 96 billes

Dimensions : 14 mm x 8 mm

Qualité et Fiabilité

MTBF élevé

Résistant aux agents de stress environnementaux

Avantages du Produit

Optimisé pour les applications de calcul à haute vitesse

Durabilité améliorée

Compétitivité du Produit

Bien adapté aux marchés concurrentiels exigeant une large bande passante mémoire

Compatibilité

Compatible avec les interfaces DDR3 standard

Certification et Conformité aux Normes

Conforme à JEDEC

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour un fonctionnement à long terme

Fabrication écologique

Champs d'Application Réels

Informatique

Électronique grand public

Télécommunications

Applications de serveurs

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